EPİTAKSİYA (epi... – üzәrindә, sәthindә vә tάξις – düzülüş, nizam) – bir kristalın (altlığın) sәthindә başqa kristalın istiqamәtli böyümәsi. Yaranan kristalın maddәsi ilә altlığın maddәsi müxtәlif olduqda bu heteroepitaksiya, eyni olarsa – homoepitaksiya (avtoepitaksiya) adlanır. Əgәr kristalın istiqamәtli böyümәsi digәr kristalın hәcmi daxilindә baş verirsә, buna endotaksiya deyilir. E. prosesi maddәnin müxtәlif aqreqat fazalarında (buxar, maye, bәrk) baş verә bilәr. Altlığın vә böyüdülәn maddәnin kristallik qәfәs sabitlәrinin fәrqi bir-birindәn 10%-dәn artıq deyilsә, E. prosesi asanlıqla gedir. Bu fәrq artdıqca
böyüyәn kristaldakı struktur defektlәrin növlәri vә sayı artır, kristallaşma müstәvilәrindә dislokasiyalar yaranır. E. hadisәsi zamanı altlıq-kristal, kristal-mühit vә altlıq-mühit sәrhәdlәrindәn formalaşan sәrhәd enerjisi minimal olur. E. prosesinin uğurla getmәsi verilmiş maddә cütlüyünün struktur-hәndәsi uyğunluğundan başqa prosesin temp-rundan, mühit daxilindә kristallaşan maddәnin konsentrasiya artıqlığından (ifratsoyuqluğundan), altlığın tәkmilliyindәn, onun sәthinin tә mizliyindәn vә digәr kristallaşma şәrtlәrindәn asılıdır. Maddәlәrin növündәn vә şәraitdәn asılı olaraq elә bir epitaksial temp-r adlanan hәdd var ki, ondan aşağı temp-rlarda istiqamәtlәnmiş monokristal nazik tәbәqәlәr almaq mümkün deyil. E. prosesi, adәtәn, altlıq üzәrindә ayrı-ayrı xırda kristalcıqların yaranması ilә başlayır vә sonradan onlar bir-birilә birlәşәrәk sәlt nazik tәbәqә әmәlә gәtirir. E.-dan nanotexnologiyada, mikroelektronikada (tranzistorlar, inteqral sxemlәr, işıq diodları vә s.); kvant elektronikasında (çoxqatlı yarımkeçirici heterostrukturlar, injeksion lazerlәr); spintronikada, yaddaş qurğularında (silindrik maqnit domenlәri) vә s. istifadә edilir.
Azərbaycan Milli Ensiklopediyası
| Sərlövhə: | Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, “Azərbaycan” xüsusi cildi (Azərbaycan dilində) |
| Nəşriyyat: | "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi |
| Nəşr yeri: | Bakı |
| Nəşr ili: | 2007 |
| ISBN: | 978-9952-441-01-7 |
| Səhifələrin sayı: | 881 |
| Sərlövhə: | Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, I CİLD |
| Nəşriyyat: | "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi |
| Nəşr yeri: | Bakı |
| Nəşr ili: | 2009 |
| ISBN: | 978-9952-441-02-4 |
| Səhifələrin sayı: | 608 |
| Sərlövhə: | Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, II CİLD |
| Nəşriyyat: | "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi |
| Nəşr yeri: | Bakı |
| Nəşr ili: | 2010 |
| ISBN: | 978-9952-441-05-5 |
| Səhifələrin sayı: | 604 |
| Sərlövhə: | Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, III CİLD |
| Nəşriyyat: | "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi |
| Nəşr yeri: | Bakı |
| Nəşr ili: | 2011 |
| ISBN: | 978-9952-441-07-9 |
| Səhifələrin sayı: | 604 |
| Sərlövhə: | Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, “Azərbaycan” xüsusi cildi (rus dilində) |
| Nəşriyyat: | "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi |
| Nəşr yeri: | Bakı |
| Nəşr ili: | 2012 |
| ISBN: | 978-9952-441-01-7 |
| Səhifələrin sayı: | 881 |
| Sərlövhə: | Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, IV CİLD |
| Nəşriyyat: | "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi |
| Nəşr yeri: | Bakı |
| Nəşr ili: | 2013 |
| ISBN: | 978-9952-441-03-1 |
| Səhifələrin sayı: | 608 |
| Sərlövhə: | Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, V CİLD |
| Nəşriyyat: | "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi |
| Nəşr yeri: | Bakı |
| Nəşr ili: | 2014 |
| ISBN: | 978-9952-441-10-9 |
| Səhifələrin sayı: | 592 |
| Sərlövhə: | Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, VI CİLD |
| Nəşriyyat: | "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi |
| Nəşr yeri: | Bakı |
| Nəşr ili | 2015 |
| ISBN: | 978-9952-441-11-6 |
| Səhifələrin sayı: | 608 |
EPİTAKSİYA (epi... – üzәrindә, sәthindә vә tάξις – düzülüş, nizam) – bir kristalın (altlığın) sәthindә başqa kristalın istiqamәtli böyümәsi. Yaranan kristalın maddәsi ilә altlığın maddәsi müxtәlif olduqda bu heteroepitaksiya, eyni olarsa – homoepitaksiya (avtoepitaksiya) adlanır. Əgәr kristalın istiqamәtli böyümәsi digәr kristalın hәcmi daxilindә baş verirsә, buna endotaksiya deyilir. E. prosesi maddәnin müxtәlif aqreqat fazalarında (buxar, maye, bәrk) baş verә bilәr. Altlığın vә böyüdülәn maddәnin kristallik qәfәs sabitlәrinin fәrqi bir-birindәn 10%-dәn artıq deyilsә, E. prosesi asanlıqla gedir. Bu fәrq artdıqca
böyüyәn kristaldakı struktur defektlәrin növlәri vә sayı artır, kristallaşma müstәvilәrindә dislokasiyalar yaranır. E. hadisәsi zamanı altlıq-kristal, kristal-mühit vә altlıq-mühit sәrhәdlәrindәn formalaşan sәrhәd enerjisi minimal olur. E. prosesinin uğurla getmәsi verilmiş maddә cütlüyünün struktur-hәndәsi uyğunluğundan başqa prosesin temp-rundan, mühit daxilindә kristallaşan maddәnin konsentrasiya artıqlığından (ifratsoyuqluğundan), altlığın tәkmilliyindәn, onun sәthinin tә mizliyindәn vә digәr kristallaşma şәrtlәrindәn asılıdır. Maddәlәrin növündәn vә şәraitdәn asılı olaraq elә bir epitaksial temp-r adlanan hәdd var ki, ondan aşağı temp-rlarda istiqamәtlәnmiş monokristal nazik tәbәqәlәr almaq mümkün deyil. E. prosesi, adәtәn, altlıq üzәrindә ayrı-ayrı xırda kristalcıqların yaranması ilә başlayır vә sonradan onlar bir-birilә birlәşәrәk sәlt nazik tәbәqә әmәlә gәtirir. E.-dan nanotexnologiyada, mikroelektronikada (tranzistorlar, inteqral sxemlәr, işıq diodları vә s.); kvant elektronikasında (çoxqatlı yarımkeçirici heterostrukturlar, injeksion lazerlәr); spintronikada, yaddaş qurğularında (silindrik maqnit domenlәri) vә s. istifadә edilir.
EPİTAKSİYA (epi... – üzәrindә, sәthindә vә tάξις – düzülüş, nizam) – bir kristalın (altlığın) sәthindә başqa kristalın istiqamәtli böyümәsi. Yaranan kristalın maddәsi ilә altlığın maddәsi müxtәlif olduqda bu heteroepitaksiya, eyni olarsa – homoepitaksiya (avtoepitaksiya) adlanır. Əgәr kristalın istiqamәtli böyümәsi digәr kristalın hәcmi daxilindә baş verirsә, buna endotaksiya deyilir. E. prosesi maddәnin müxtәlif aqreqat fazalarında (buxar, maye, bәrk) baş verә bilәr. Altlığın vә böyüdülәn maddәnin kristallik qәfәs sabitlәrinin fәrqi bir-birindәn 10%-dәn artıq deyilsә, E. prosesi asanlıqla gedir. Bu fәrq artdıqca
böyüyәn kristaldakı struktur defektlәrin növlәri vә sayı artır, kristallaşma müstәvilәrindә dislokasiyalar yaranır. E. hadisәsi zamanı altlıq-kristal, kristal-mühit vә altlıq-mühit sәrhәdlәrindәn formalaşan sәrhәd enerjisi minimal olur. E. prosesinin uğurla getmәsi verilmiş maddә cütlüyünün struktur-hәndәsi uyğunluğundan başqa prosesin temp-rundan, mühit daxilindә kristallaşan maddәnin konsentrasiya artıqlığından (ifratsoyuqluğundan), altlığın tәkmilliyindәn, onun sәthinin tә mizliyindәn vә digәr kristallaşma şәrtlәrindәn asılıdır. Maddәlәrin növündәn vә şәraitdәn asılı olaraq elә bir epitaksial temp-r adlanan hәdd var ki, ondan aşağı temp-rlarda istiqamәtlәnmiş monokristal nazik tәbәqәlәr almaq mümkün deyil. E. prosesi, adәtәn, altlıq üzәrindә ayrı-ayrı xırda kristalcıqların yaranması ilә başlayır vә sonradan onlar bir-birilә birlәşәrәk sәlt nazik tәbәqә әmәlә gәtirir. E.-dan nanotexnologiyada, mikroelektronikada (tranzistorlar, inteqral sxemlәr, işıq diodları vә s.); kvant elektronikasında (çoxqatlı yarımkeçirici heterostrukturlar, injeksion lazerlәr); spintronikada, yaddaş qurğularında (silindrik maqnit domenlәri) vә s. istifadә edilir.
