BИPOLYÁR TRАNZИSTOR – електрон (н) вя йа дешик (п) кечириъиликли 3 сащяси олан монокристал йарымкечириъи лювщялярдян ибарят транзистор нювц. Б.т.- да ортада йерляшян вя чох назик (бир нечя мкм вя даща аз) тябягя шяклиндя щазырланмыш сащя база, о бири ики сащя ися емиттер вя коллектор адланыр. Диэяр транзистор нювляриндян фяргли олараг, Б.т.-да щям електронлар, щям дя дешикляр ясас йцкдашыйыъылардыр. Емиттер-база щиссяляри арасындакы п–н кечиди емиттер кечиди, база-коллектор щиссяляри арасындакы н–п кечиди ися коллектор кечиди адланыр. База кечириъилийинин нювцндян асылы олараг п–н–п вя н–п–н тип Б.т. олур. Б.т.-ун иш принсипи базадан ахан гейри-ясас йцкдашыйыъылар селинин идаря олунмасына ясасланыр. Емиттер кечиди дцз истигамятдя ачылыр вя гейри-ясас йцкдашыйыъыларын инжексийасыны тямин едир, коллектор кечиди ися якс истигамятдя ачылыр вя емиттер васитясиля инжексийа едилмиш гейри-ясас йцкдашыйыъылары топлайыр. Б.т силисиум вя эерманиум ясасында планар технолоэийа иля щазырланыр. Йцксяк тезликляр диапазонунда (онларла ГЩс) електрик рягсляринин эцъляндирилмяси, чеврилмяси вя эенерасийасы цчцн тятбиг едилир. Б.т.-ун чыхыш эцъц 100 Вт-а, минимал кцй щядди бир нечя дБ-я гядярдир.