ELEKTRÓN-DEŞİK KEÇİDİ (p–n-keçidi) – yarımkeçirici kristalın, biri elektron keçiriciliyinә (n tip), digәri isә deşik (p tip) keçiriciliyinә malik iki hissәsi arasındakı keçid oblastı. E.-d.k.-nin p-oblastındakı deşiklәrin konsentrasiyası n-oblastındakına nisbәtәn daha çox olduğuna görә p-oblastındakı deşiklәr n-oblastına, elektronlar isә p-oblastına diffuziyaya cәhd edirlәr. p-oblastından deşiklәr getdikdәn sonra orada mәnfi yüklәnmiş akseptor atomları, n-oblastından elektronlar getdikdәn sonra isә orada müsbәt yüklәnmiş donor atomları qalır. Akseptor vә donor atomları hәrәkәtsiz olduqlarına görә E.-d.k. oblastında iki lay fәza yük tәbәqәsi – p-oblastında mәnfi yüklәr vә n-oblastında müsbәt yüklәr әmәlә gәlir (şәkil 1). Bunların yaratdığı kontakt elektrik sahәsi әsas yükdaşıyıcıların sonrakı diffuziyasına әks tәsir göstәrir. Xarici elektrik sahәsi olmadıqda istilik tarazlığı şәraitindә qeyri-әsas yükdaşıyıcıların (p-oblastında elektronların vә n-oblastında deşiklәrin) yaratdığı kiçik cәrәyan E.-d.k.-nin sәrhәdinә axaraq kontakt sahәnin tәsiri ilә ondan keçdiyinә, әsas yükdaşıyıcıların (n-oblastında elektronların vә p-oblastında deşiklәrin) yaratdığı cәrәyan isә diffuziya nәticәsindә E.-d.k.-ndәn әks istiqamәtdә keçdiyinә görә E.-d.k.-ndә dinamik tarazlıq yaranır vә E.-d.k.-ndәn keçәn cәrәyan sıfıra bәrabәr olur. Bu halda әsas yükdaşıyıcılara hündürlüyü Voltun onluq hissәlәri qәdәr olan kontakt sahәni (potensial baryeri) aşmaq lazım gәlir.
Xarici elektrik sahәsi baryerin hündürlüyünü dәyişir vә baryerdәn keçәn yükdaşıyıcılar selinin tarazlığını pozur. Әgәr p-oblastına müsbәt potensial verilәrsә, onda potensial baryer azalar (d ü z y e r d ә y i ş m ә). Bu halda verilәn gәrginliyin artması ilә baryeri keçmәk qabiliyyәti olan әsas yükdaşıyıcıların sayı da eksponensial artır. Onlar E.-d.k.-ni keçәn kimi qeyri-әsas yükdaşıyıcılar olurlar. Ona görә dә keçidin hәr iki tәrәfindә qeyri-әsas yükdaşıyıcıların konsentrasiyası artır (q e y r i - ә s a s y ü k d a ş ı y ı c ı l a r ı n i n j e k s i y a s ı). Kontaktdan eyni zamanda p vә n oblastlarına injeksiya edәn daşıyıcıların yüklәrinin kompensasiyasına sәbәb olan bәrabәr miqdarda әsas yükdaşıyıcılar daxil olur. Nәticәdә rekombinasiya sürәti artır, keçiddәn keçәn vә gәrginliyin artması ilә eksponensial artan sıfırdan fәrqli cәrәyan meydana çıxır.
p-oblastına mәnfi potensialın verilmәsi (ә k s y e r d ә y i ş m ә) potensial baryerin böyümәsi ilә nәticәlәnir. E.-d.k.-ndәn keçәn әsas yükdaşıyıcıların diffuziyası nәzәrә alınmayacaq dәrәcәdә kiçikdir. Qeyri-әsas yükdaşıyıcılar seli isә dәyişmir (onlar üçün baryer olmur). Qeyri-әsas yükdaşıyıcılar seli elektron-deşik cütlәrinin istilik generasiyasının sürәti ilә tәyin edilir. Bu cütlәr baryerә diffuziya edir vә onun sahәsi tәrәfindәn parçalanır, nәticәdә E.-d.k.-ndәn adәtәn kiçik vә demәk olar ki, gәrginlikdәn asılı olmayan Is cәrәyanı (d o y m u ş c ә r ә y a n) axır. Belәliklә, E.-d.k.-ndәn keçәnI cәrәyanının verilәn U gәrginlikdәn asılılığı (Volt-Amper xarakteristikası) kәskin tәzahür edәn qeyri-xәttiliyә malik olur (şәkil 2), yәni E.-d.k. keçiriciliyi U-dan möhkәm asılıdır. U-nun işarәsinin dәyişmәsi ilә E.-d.k.-ndәn keçәn cәrәyanın qiymәti 105–106 dәfә dәyişә bilәr. Buna görә E.-d.k. dәyişәn cәrәyanı düzlәndirmәk üçün ventil qurğusu (yarımkeçirici diod) kimi istifadә olunur. E.-d.k. müqavimәtinin U-dan asılılığı E.-d.k.-ndәn müqavimәti tәnzimlәmәk (varistor) üçün istifadә etmәyә imkan verir.
Verilәn gәrginlikdәn E.-d.k.-nin yalnız keçiriciliyi deyil, hәm dә elektrik tutumu asılıdır. Doğrudan da, әks yerdәyişmә zamanı potensial baryerin böyümәsi yarımkeçiricinin n- vә p-oblastları arasındakı potensiallar fәrqinin vә buna görә dә onların hәcmi yüklәrinin artmasını göstәrir. Hәcmi yüklәr tәrpәnmәz, donor vә akseptor ionları ilә bağlı olduğuna görә, hәcmi yükün artması yalnız onun oblastının genişlәnmәsi vә demәli, E.-d.k.-nin elektrik tutumunun azalması ilә şәrtlәnir. Düz yerdәyişmә zamanı hәcmi yük layının tutumuna (y ü k t u t u m u da deyilir) E.- d.k.-ndә gәrginliyin artmasının әsas vә qeyri-әsas yükdaşıyıcıların artmasına, yәni yükün dәyişmәsinә gәtirmәsi ilә şәrtlәnәn d i f f u z i y a t u t u m u da әlavә olunur. Tutumun verilәn gәrginlikdәn asılılığı E.-d.k.-ndәn parametrik diod (v a r a k t o r) – yerdәyişmә gәrginliyini dәyişmәklә tutumu idarә edә bilәn cihaz kimi istifadә etmәyә imkan verir.
Göstәrilәn tәtbiq sahәlәrindәn başqa E.-d.k.-nin kontakt potensiallar fәrqinin vә doymuş cәrәyanın qeyri-әsas yükdaşıyıcıların konsentrasiyasından asılılığına әsaslanan digәr tәtbiq sahәlәri dә mövcuddur. Qeyri-әsas yükdaşıyıcıların konsentrasiyası müxtәlif xarici tәsirlәr (istilik, mexaniki, optik vә s.) nәticәsindә әhәmiyyәtli dәrәcәdә dәyişir. Müxtәlif növ vericilәr (bax Yarımkeçirici detektor) buna әsaslanır. E.-d.k. hәmçinin işıq enerjisinin elektrik enerjisinә (günәş batareyası) çevrilmәsi üçün dә istifadә edilir.
E.-d.k. müxtәlif növ yarımkeçirici cihazların әsasıdır. Belә ki, E.-d.k.-ndә injeksiyadan vә qeyri-әsas yükdaşıyıcıların sonrakı rekombinasiyasından işıq diodla- rında vә injeksiya lazerlәrindә istifadә olunur.
E.- d. k. müxtәlif yollarla yarana bilәr:1) bir hissәsi donorla ( p oblastı), digәr hissәsi isә akseptorla (n oblastı) aşqarlanmış eyni bir yarımkeçirici materialda; 2) müxtәlif tipli keçiriciliyә malik iki müxtәlif yarımkeçirici sәrhәdindә (bax Heterokeçid). Әgәr E.-d.k.-ni monokristal
yarımkeçiricidә aşqarı әritmәklә alarlarsa (mәs., n-tipli keçiriciliyә malik kristalda akseptor aşqarı), onda n-oblastından p- oblastına keçid sıçrayışla (kәskin E.-d.k.) baş verir. Әgәr aşqarın diffuziyasından istifadә edilәrsә, onda rәvan E.-d.k. yaranır. Rәvan E.-d.k.-ni әrintidәn monokristal yetişdirmәklә dә almaq olur (bu zaman aşqarın miqdarı vә xarakteri tәdricәn dәyişir). Verilәn profil üzrә E.-d.k. yaratmağa imkan verәn aşqar atomların ionlarının daxil edilmәsi (yeridilmәsi) metodu geniş yayılmışdır.
