Azərbaycan Milli Ensiklopediyası
IX CİLD (FEDİNQ - EMİN)
    FLƏŞ-YADDAŞ

    FLƏŞ-YADDAŞ (ing. flash – işıq saçma) – kompüter vә digәr rәqәmli oxuma qurğularına universval ardıcıl şin (Universal Serial Bus – USB) interfeysi ilә qoşulan yaddaş qurğusu (verilәnlәr daşıyıcısı). F.-y. yapon alimi F.Masuoko tәrәfindәn (“Toshiba” kompaniyasında işlәyәrkәn) yaradılmış vә 1984 ildә geniş auditoriyaya tәqdim edilmişdir. Bir sәviyyәli vә hәr biri vahid bit informasiya saxlayan xanaları (ing. SLC, single-level cell) olan (müraciәt müddәti az, resurs böyük) vә çox sәviyyәli, hәr biri eyni vaxtda bir neçә bit informasiya saxlayan (yüksәk sıxlıqlı tәrtib) xanaları (ing. MLC, multi-level cell) olan F.-y. ayırd edilir. Müasir SLC-lәrin yenidәn yazılma tsikli 30–50 min, MLC üçün 3–5 min; saxlanılma müddәti 10 ildir. 

    F.-.y.-ın xanalarını massivdә birlәşdirilmәsi vә onlardan istifadә üsullarına görә NOR arxitekturasına (VƏ YA–YOX mәntiqi әmәliyyatı; istәnilәn xanadan istifadә, cәld oxuma) vә NAND arxitekturasına (VƏ–YOX mәntiqi әmәliyyatı; xanalar blokundan istifadә, cәld yazma vә pozma, yüksәk
    sıxlıqlı tәrtib, böyük resurslu F.-y.) ayrılır. Adәtәn, uz. 3–5 sm, çәkisi 60 q-dan az olur. Disketlәrlә müqayisәdә çәkisi azdır, sәssiz işlәyir vә yığcamdır; müasir kompüterlәr, televizorlar vә DVD oxuducuları USB-portlarına malik olduqları üçün istifadәsi universaldır; az enerji tәlәb edir, temp-run geniş diapazonunda işlәyә bilir; mexaniki tәsirlәrә (vibrasiya vә zәrbә), hәmçinin maqnit sahәlәrinin tәsirlәrinә daha davamlıdır.

Sərlövhə: Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, “Azərbaycan” xüsusi cildi (Azərbaycan dilində)
Nəşriyyat: "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi
Nəşr yeri: Bakı
Nəşr ili: 2007
ISBN: 978-9952-441-01-7
Səhifələrin sayı: 881
Sərlövhə: Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, I CİLD
Nəşriyyat: "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi
Nəşr yeri: Bakı
Nəşr ili: 2009
ISBN: 978-9952-441-02-4
Səhifələrin sayı: 608
Sərlövhə: Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, II CİLD
Nəşriyyat: "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi
Nəşr yeri: Bakı
Nəşr ili: 2010
ISBN: 978-9952-441-05-5
Səhifələrin sayı: 604
Sərlövhə: Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, III CİLD
Nəşriyyat: "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi
Nəşr yeri: Bakı
Nəşr ili: 2011
ISBN: 978-9952-441-07-9
Səhifələrin sayı: 604
Sərlövhə: Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, “Azərbaycan” xüsusi cildi (rus dilində)
Nəşriyyat: "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi
Nəşr yeri: Bakı
Nəşr ili: 2012
ISBN: 978-9952-441-01-7
Səhifələrin sayı: 881
Sərlövhə: Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, IV CİLD
Nəşriyyat: "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi
Nəşr yeri: Bakı
Nəşr ili: 2013
ISBN: 978-9952-441-03-1
Səhifələrin sayı: 608
Sərlövhə: Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, V CİLD
Nəşriyyat: "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi
Nəşr yeri: Bakı
Nəşr ili: 2014
ISBN: 978-9952-441-10-9
Səhifələrin sayı: 592
Sərlövhə: Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, VI CİLD
Nəşriyyat: "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi
Nəşr yeri: Bakı
Nəşr ili 2015
ISBN: 978-9952-441-11-6
Səhifələrin sayı: 608
FEDİNQ – EMİN
    FLƏŞ-YADDAŞ

    FLƏŞ-YADDAŞ (ing. flash – işıq saçma) – kompüter vә digәr rәqәmli oxuma qurğularına universval ardıcıl şin (Universal Serial Bus – USB) interfeysi ilә qoşulan yaddaş qurğusu (verilәnlәr daşıyıcısı). F.-y. yapon alimi F.Masuoko tәrәfindәn (“Toshiba” kompaniyasında işlәyәrkәn) yaradılmış vә 1984 ildә geniş auditoriyaya tәqdim edilmişdir. Bir sәviyyәli vә hәr biri vahid bit informasiya saxlayan xanaları (ing. SLC, single-level cell) olan (müraciәt müddәti az, resurs böyük) vә çox sәviyyәli, hәr biri eyni vaxtda bir neçә bit informasiya saxlayan (yüksәk sıxlıqlı tәrtib) xanaları (ing. MLC, multi-level cell) olan F.-y. ayırd edilir. Müasir SLC-lәrin yenidәn yazılma tsikli 30–50 min, MLC üçün 3–5 min; saxlanılma müddәti 10 ildir. 

    F.-.y.-ın xanalarını massivdә birlәşdirilmәsi vә onlardan istifadә üsullarına görә NOR arxitekturasına (VƏ YA–YOX mәntiqi әmәliyyatı; istәnilәn xanadan istifadә, cәld oxuma) vә NAND arxitekturasına (VƏ–YOX mәntiqi әmәliyyatı; xanalar blokundan istifadә, cәld yazma vә pozma, yüksәk
    sıxlıqlı tәrtib, böyük resurslu F.-y.) ayrılır. Adәtәn, uz. 3–5 sm, çәkisi 60 q-dan az olur. Disketlәrlә müqayisәdә çәkisi azdır, sәssiz işlәyir vә yığcamdır; müasir kompüterlәr, televizorlar vә DVD oxuducuları USB-portlarına malik olduqları üçün istifadәsi universaldır; az enerji tәlәb edir, temp-run geniş diapazonunda işlәyә bilir; mexaniki tәsirlәrә (vibrasiya vә zәrbә), hәmçinin maqnit sahәlәrinin tәsirlәrinә daha davamlıdır.

    FLƏŞ-YADDAŞ

    FLƏŞ-YADDAŞ (ing. flash – işıq saçma) – kompüter vә digәr rәqәmli oxuma qurğularına universval ardıcıl şin (Universal Serial Bus – USB) interfeysi ilә qoşulan yaddaş qurğusu (verilәnlәr daşıyıcısı). F.-y. yapon alimi F.Masuoko tәrәfindәn (“Toshiba” kompaniyasında işlәyәrkәn) yaradılmış vә 1984 ildә geniş auditoriyaya tәqdim edilmişdir. Bir sәviyyәli vә hәr biri vahid bit informasiya saxlayan xanaları (ing. SLC, single-level cell) olan (müraciәt müddәti az, resurs böyük) vә çox sәviyyәli, hәr biri eyni vaxtda bir neçә bit informasiya saxlayan (yüksәk sıxlıqlı tәrtib) xanaları (ing. MLC, multi-level cell) olan F.-y. ayırd edilir. Müasir SLC-lәrin yenidәn yazılma tsikli 30–50 min, MLC üçün 3–5 min; saxlanılma müddәti 10 ildir. 

    F.-.y.-ın xanalarını massivdә birlәşdirilmәsi vә onlardan istifadә üsullarına görә NOR arxitekturasına (VƏ YA–YOX mәntiqi әmәliyyatı; istәnilәn xanadan istifadә, cәld oxuma) vә NAND arxitekturasına (VƏ–YOX mәntiqi әmәliyyatı; xanalar blokundan istifadә, cәld yazma vә pozma, yüksәk
    sıxlıqlı tәrtib, böyük resurslu F.-y.) ayrılır. Adәtәn, uz. 3–5 sm, çәkisi 60 q-dan az olur. Disketlәrlә müqayisәdә çәkisi azdır, sәssiz işlәyir vә yığcamdır; müasir kompüterlәr, televizorlar vә DVD oxuducuları USB-portlarına malik olduqları üçün istifadәsi universaldır; az enerji tәlәb edir, temp-run geniş diapazonunda işlәyә bilir; mexaniki tәsirlәrә (vibrasiya vә zәrbә), hәmçinin maqnit sahәlәrinin tәsirlәrinә daha davamlıdır.