FOTOKEÇİRİCİLİK, f o t o r e z i s t i v   e f f e k t i – elektromaqnit şüasının tәsiri altında yarımkeçiricinin elektrikkeçiriciliyinin artması. F. ilk dәfә U.Smit (ABŞ) tәrәfindәn 1873 ildә Se-dә müşahidә edilmişdir. Adәtәn F. işığın tәsiri altında mü- tәhәrrik yükdaşıyıcıların konsentrasiyasının artması ilә şәrtlәnir (k o n s e n t r a s i o n  F.). F. bir neçә prosesin tәsiri nәticәsindә baş verir: fotonlar elektronları valent zonasından “qoparıb” keçiricilik zonasına tullayır vә nәticәdә eyni zamanda hәm keçiricilik elektronlarının, hәm dә deşiklәrin sayı artır (m ә x s u s i  F.); elektronlar dolu zonadan sәrbәst aşqar sәviyyәlәrinә tullanır – deşiklәrin sayı artır (d e ş i k – a ş q a r  F.); elektronlar aşqar sәviyyәlәrdәn keçiricilik zonasına tullanır (e l e k t r o n – a ş q a r  F.). Konsentrasion F. yalnız kifayәt qәdәr qısadalğalı şüalarla hәyәcanlandırma vaxtı fotonların enerjisi qadağan olunmuş zonanın enindәn vә ya zonalardan biri ilә aşqar sәviyyәsi arasındakı mәsafәdәn böyük olduqda baş verir. Bütün qeyri-metal bәrk cisimlәr F.-ә malikdir. F.-i әn çox öyrәnilәn vә texnikada geniş tәtbiq edilәn yarımkeçiricilәr: Ge, Si, Se, CdS, CdSe, İnSb, GaAs, PbS vә s.-dir.

Sәrbәst daşıyıcıların konsentrasiyasının dәyişmәsi ilә әlaqәdәr olmayan F. növlәri dә var. Belә ki, zonalararası keçidlәr yaratmayan vә aşqar mәrkәzlәrini ionlaşdırmayan uzundalğalı elektromaqnit şüaları sәrbәst daşıyıcılar tәrәfindәn udulduqda daşıyıcıların enerjisi artır, onların mütәhәrrikliyi dәyişir vә elektrik keçiriciliyi artır (m ü t ә h ә r r i k  F.).

F.-in öyrәnilmәsi bәrk cismin xassәlәrinin tәdqiqindә әn sәmәrәli üsullardan biridir. F. hadisәsindәn fotorezistorların, hәssas vә az әtalәtli şüa qәbuledicilәrinin vә s. yaradılmasında, gecәgörmә cihazlarında, hәmçinin yarımkeçirici strukturların elektrik xassәlәrinin tәyinindә istifadә edilir.