Azərbaycan Milli Ensiklopediyası
IX CİLD (FEDİNQ - EMİN)
    FOTOLİTOQRAFİYA 

    FOTOLİTOQRAFİYA (foto + ...litoqrafiya), p o l i q r a f i y a d a – daş vә ya metal lövhә üzәrindә yastı çap formasının fotomexaniki hazırlanma üsulu, hәmçinin belә formadan çıxarılan ottisk, surәt. M i k r o e l e k t r o n i k a d a – inteqral sxemlәrin hazırlanması prosesindә metal, dielektrik vә ya yarımkeçirici tәbәqәsindә verilmiş topologiyalı relyefli şәklin formalaşdırılması üsulu. Görünәn vә ultrabәnövşәyi sahәdәki optik şüalanmaya hәssas olan fotorezistorların (FR) istifadәsilә hәyata keçirilir. UB şüaların tәsirinә hәssas maye kompozisiya şәklindә olan üzvü FR daha geniş tәtbiq olunur. Dalğa uz. Λ = 0,36–0,45 mm olan şüalanmadan istifadә edәrkәn elementlәrinin ölçüsü 1–2 mkm vә daha çox olan şәkillәri canlandırmaq mümkündür. Qısadalğalı UB şüalanmaya (λ < 300 nm) hәssas FR-ın tәtbiqi elementlәrinin ölçüsü 1 mkm-dәn kiçik tәsvirlәri formalaşdırmağa imkan yaradır. Lazımi relyefi almaq üçün emal olunan sәth (altlıq) FR tәbәqәsi ilә örtülür. FR tәbәqәdә lokal ekspozisiya ilә aşağıda yerlәşәn texnoloji tәbәqәyә (SiO2) aşılayıcıların daxil olması üçün lazımi konfiqurasiyalı “pәncәrә” yaradılır. Relyefli tәsvirin alınması prosesi aşağıdakı ardıcıllıqdan ibarәtdir: altlıq sәthinin tәmizlәnmәsi vә adgeziyanın yaxşılaşdırılması üçün kimyәvi vә termiki emalı; FR tәbәqәsinin (0,3–2,0 mm qalınlığında) çәkilmәsi; FR-nın ilk termiki emalı (qurudulması); kontakt vә ya proyeksiyalama üsulu ilә FR-in lokal ekspozisiyalandırılması; aşkarlama (gizli fototәsvirin görünәn, relyefli tәsvirә çevrilmәsi); FR-nın ikinci termiki emalı; texnoloji tәbәqәlәrin seçilәrәk aşılanması; qoruyucu maskanın kәnarlaşdırılması. F. müxtәlif texnoloji tәbәqәlәrdә dәfәlәrlә tәkrarlanan çoxmәrhәlәli prosesdir.

Sərlövhə: Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, “Azərbaycan” xüsusi cildi (Azərbaycan dilində)
Nəşriyyat: "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi
Nəşr yeri: Bakı
Nəşr ili: 2007
ISBN: 978-9952-441-01-7
Səhifələrin sayı: 881
Sərlövhə: Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, I CİLD
Nəşriyyat: "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi
Nəşr yeri: Bakı
Nəşr ili: 2009
ISBN: 978-9952-441-02-4
Səhifələrin sayı: 608
Sərlövhə: Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, II CİLD
Nəşriyyat: "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi
Nəşr yeri: Bakı
Nəşr ili: 2010
ISBN: 978-9952-441-05-5
Səhifələrin sayı: 604
Sərlövhə: Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, III CİLD
Nəşriyyat: "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi
Nəşr yeri: Bakı
Nəşr ili: 2011
ISBN: 978-9952-441-07-9
Səhifələrin sayı: 604
Sərlövhə: Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, “Azərbaycan” xüsusi cildi (rus dilində)
Nəşriyyat: "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi
Nəşr yeri: Bakı
Nəşr ili: 2012
ISBN: 978-9952-441-01-7
Səhifələrin sayı: 881
Sərlövhə: Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, IV CİLD
Nəşriyyat: "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi
Nəşr yeri: Bakı
Nəşr ili: 2013
ISBN: 978-9952-441-03-1
Səhifələrin sayı: 608
Sərlövhə: Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, V CİLD
Nəşriyyat: "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi
Nəşr yeri: Bakı
Nəşr ili: 2014
ISBN: 978-9952-441-10-9
Səhifələrin sayı: 592
Sərlövhə: Azərbaycan Milli Ensiklopediyası, VI CİLD
Nəşriyyat: "Azərbaycan Milli Ensiklopediyası" Elmi Mərkəzi
Nəşr yeri: Bakı
Nəşr ili 2015
ISBN: 978-9952-441-11-6
Səhifələrin sayı: 608
FEDİNQ – EMİN
    FOTOLİTOQRAFİYA 

    FOTOLİTOQRAFİYA (foto + ...litoqrafiya), p o l i q r a f i y a d a – daş vә ya metal lövhә üzәrindә yastı çap formasının fotomexaniki hazırlanma üsulu, hәmçinin belә formadan çıxarılan ottisk, surәt. M i k r o e l e k t r o n i k a d a – inteqral sxemlәrin hazırlanması prosesindә metal, dielektrik vә ya yarımkeçirici tәbәqәsindә verilmiş topologiyalı relyefli şәklin formalaşdırılması üsulu. Görünәn vә ultrabәnövşәyi sahәdәki optik şüalanmaya hәssas olan fotorezistorların (FR) istifadәsilә hәyata keçirilir. UB şüaların tәsirinә hәssas maye kompozisiya şәklindә olan üzvü FR daha geniş tәtbiq olunur. Dalğa uz. Λ = 0,36–0,45 mm olan şüalanmadan istifadә edәrkәn elementlәrinin ölçüsü 1–2 mkm vә daha çox olan şәkillәri canlandırmaq mümkündür. Qısadalğalı UB şüalanmaya (λ < 300 nm) hәssas FR-ın tәtbiqi elementlәrinin ölçüsü 1 mkm-dәn kiçik tәsvirlәri formalaşdırmağa imkan yaradır. Lazımi relyefi almaq üçün emal olunan sәth (altlıq) FR tәbәqәsi ilә örtülür. FR tәbәqәdә lokal ekspozisiya ilә aşağıda yerlәşәn texnoloji tәbәqәyә (SiO2) aşılayıcıların daxil olması üçün lazımi konfiqurasiyalı “pәncәrә” yaradılır. Relyefli tәsvirin alınması prosesi aşağıdakı ardıcıllıqdan ibarәtdir: altlıq sәthinin tәmizlәnmәsi vә adgeziyanın yaxşılaşdırılması üçün kimyәvi vә termiki emalı; FR tәbәqәsinin (0,3–2,0 mm qalınlığında) çәkilmәsi; FR-nın ilk termiki emalı (qurudulması); kontakt vә ya proyeksiyalama üsulu ilә FR-in lokal ekspozisiyalandırılması; aşkarlama (gizli fototәsvirin görünәn, relyefli tәsvirә çevrilmәsi); FR-nın ikinci termiki emalı; texnoloji tәbәqәlәrin seçilәrәk aşılanması; qoruyucu maskanın kәnarlaşdırılması. F. müxtәlif texnoloji tәbәqәlәrdә dәfәlәrlә tәkrarlanan çoxmәrhәlәli prosesdir.

    FOTOLİTOQRAFİYA 

    FOTOLİTOQRAFİYA (foto + ...litoqrafiya), p o l i q r a f i y a d a – daş vә ya metal lövhә üzәrindә yastı çap formasının fotomexaniki hazırlanma üsulu, hәmçinin belә formadan çıxarılan ottisk, surәt. M i k r o e l e k t r o n i k a d a – inteqral sxemlәrin hazırlanması prosesindә metal, dielektrik vә ya yarımkeçirici tәbәqәsindә verilmiş topologiyalı relyefli şәklin formalaşdırılması üsulu. Görünәn vә ultrabәnövşәyi sahәdәki optik şüalanmaya hәssas olan fotorezistorların (FR) istifadәsilә hәyata keçirilir. UB şüaların tәsirinә hәssas maye kompozisiya şәklindә olan üzvü FR daha geniş tәtbiq olunur. Dalğa uz. Λ = 0,36–0,45 mm olan şüalanmadan istifadә edәrkәn elementlәrinin ölçüsü 1–2 mkm vә daha çox olan şәkillәri canlandırmaq mümkündür. Qısadalğalı UB şüalanmaya (λ < 300 nm) hәssas FR-ın tәtbiqi elementlәrinin ölçüsü 1 mkm-dәn kiçik tәsvirlәri formalaşdırmağa imkan yaradır. Lazımi relyefi almaq üçün emal olunan sәth (altlıq) FR tәbәqәsi ilә örtülür. FR tәbәqәdә lokal ekspozisiya ilә aşağıda yerlәşәn texnoloji tәbәqәyә (SiO2) aşılayıcıların daxil olması üçün lazımi konfiqurasiyalı “pәncәrә” yaradılır. Relyefli tәsvirin alınması prosesi aşağıdakı ardıcıllıqdan ibarәtdir: altlıq sәthinin tәmizlәnmәsi vә adgeziyanın yaxşılaşdırılması üçün kimyәvi vә termiki emalı; FR tәbәqәsinin (0,3–2,0 mm qalınlığında) çәkilmәsi; FR-nın ilk termiki emalı (qurudulması); kontakt vә ya proyeksiyalama üsulu ilә FR-in lokal ekspozisiyalandırılması; aşkarlama (gizli fototәsvirin görünәn, relyefli tәsvirә çevrilmәsi); FR-nın ikinci termiki emalı; texnoloji tәbәqәlәrin seçilәrәk aşılanması; qoruyucu maskanın kәnarlaşdırılması. F. müxtәlif texnoloji tәbәqәlәrdә dәfәlәrlә tәkrarlanan çoxmәrhәlәli prosesdir.